SJ 20714-1998 砷化镓抛光片亚损伤的X射线双晶衍射试验方法
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ID： |
2ED0A67F1A21480B8FF44C00B1FDD912 |
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0.26 |
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4 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL5971 SJ 20714 —1998,种化镣抛光片亚损伤层的,X射线双晶衍射试验方法,Test method for sub-surface damege of gallium arsenide polished,wafer by X-ray double crystal diffraction,1998丒03-18发布1998-05-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,碑化镣抛光片亚损伤层的X射线,双晶衍射试验方法,SJ 20714-1998,Test method for sub - surfoce damege of gallium arsenide polished,wate, 岬 X- ray doubte crystal diffraction,1范围,1.1 主题内容,本标准规定了碑化镇抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法,1.2 适用范围,本标准适用于经过化学、机械单面和双面抛光的御化镇晶片亚损伤层的定性测量,2引用文件,GJB 1926 - 94碑化银单晶材料规范,3定义,本章无条文,4 一般要求,4.1 测量大气条件,a.环境温度:23±5t;,b.相对湿度:￠70%,c.大气压カ:86~106kPa,4.2 测量环境要求,测量实验的应无振动,不允许存在电磁干扰;并保证一定的洁净条件。无腐蚀性气体,中华人民共和国电子工业部1998-03-18发布 1998 - 05 - 01实施,SJ 20714-1998,5详细要求,5.1 方法提要,X射线受完整晶体反射的摇摆曲线半峰宽度为:,式中:S——半峰宽,瓠度;,N 单位体积晶胞数,cm-3;,A--- X光波长,cm;,e——布喇格角,。;,p —偏振因子;,e、m、c——物理常数:电子电荷，电子静止质量和光速；,F——晶体结构因子,在晶体有缺陷时晶体完整性降低,半峰宽加大，因此半峰宽是表征晶体完整性的重要参,数。晶体的表面加工（切、磨、抛等エ艺）使其表面损伤即在表面亚损伤层中晶体的完整性,受到破坏，將使晶体摇摆曲线半峰宽变大,因此半峰宽大小可以用来表征在具有基本相同本,征缺陷的晶体由于晶体表面经过加工的损伤,5.2 测量仪器,X射线双晶衍射仪,计算机数据采集系统,5.3 测量条件,用CuKal辐射，一晶标准晶体为无位错硅单晶,经机械化学抛光,成镜面。采用小狭缝,入射，双晶（ + n、-m）排列,采用同一（khl）对称反射,闪烁计数管计数,5.4 试样制备,试样表面应符合GJB 1926中3.2.9和3.2.10条的规定，经无水乙醇清洗应具有清洁和,干燥表面,5.5 选点要求,测量点选取试样的中心点,5.6 测试步骤,5.6.1 将样品固定在样品架上，探测器放在2J位置上，调节样品口和平面角g角度,找,到衍射峰极大值,5.6.2 用小于每角度秒一步的扫描速度进行摇摆曲线的步进扫描,用计算机数据采集系统,采集数据,并绘出摇摆曲线图形,从图中量出半峰宽，给出半峰宽的数据,5.7 报告,测量报告包括以下内容：,a.样品来源及编号；,b.仪器型号;,c.测试条件:电压,电流,一晶入射狭缝，一晶种类、方向，一晶反射晶面,样品反,射晶面；,—2 -,SJ 20714-1998,d.测试日期、操作人员和测试单位;,e.完整晶体摇摆曲线半峰宽理论值;,f.实测摇摆曲线图形和半峰宽(以［角］秒计),6说明事项,6.1 方法提要的补充说明,在双晶衍射仪中,经过两个晶体的反射,半峰宽为:,ダ=亚夕 (2),在测量中考虑到仪器宽化作用,实测的半峰宽ダ大于ダ。晶片半峰宽越接近理论值,说明亚损伤层小且损伤不严重,反之半峰宽很大的晶片则损伤严重。将用所测的实验数据与,理论值进行比较可以定性表征同一批晶片的经切磨抛后的亚损伤层的情况,6.2 摇摆曲线的测量精度,考虑到仪器的系统误差，摇摆曲线半峰宽的测量精度为10%,附加说明:,本标准由中国电子技术标准化研究所归ロ,本标准由电子工业部第四十六研究所负责起草,本标准主要起草人:张世敏，郝建民,段曙光,计划项目代号:B65004o,—3 —……
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